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681	文件：71.81 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSASSEMBLIES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
681	文件：178.23 Kbytes Page：4 Pages	SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司	PRODUCTWELL
681	文件：573 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰TransparentFilmTape681	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
681	文件：817.73 Kbytes Page：4 Pages	POWERINDUCTOR ●FEATURE 1.Excellentsolderheatresistance(add“C”isforhighcurrenttype) 2.Lowvoltagedropsandsmallvariationsinductance ●APPLICATION 1.DCpowersupplycircuits 2.Powerlinechokecoils…etc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
681	文件：718.61 Kbytes Page：4 Pages	WIREWOUNDSMDINDUCTOR ●FEATURE 1.Lowcorelossforhighfrequencypowerapplication 2.Largeterminalsurface ●APPLICATION 1.Portablecommunicationequipment,notebookcomputer	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
681JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
681P	文件：623.78 Kbytes Page：5 Pages	HighDischargeRateEnergy-StorageMetalized-FilmCapacitors Features •Highenergydensity •Metaltubularcase •Lightweight •5joules/cu.in. •80joules/pound MajorApplications: Flash,laser,strobe,beacons.	EXXELIAExxelia Group EXXELIA集团	EXXELIA
AN681	文件：219.35 Kbytes Page：10 Pages	USINGTHESi87XXFAMILYOFDIGITALISOLATORS	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
ARF681	文件：122 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE FORIGBT,IEGT,GCTAPPLICATIONS SNUBBERLESSOPERATION LOWLOSSESSOFTRECOVERY Repetitivevoltageupto4500V Meanforwardcurrent1145A Surgecurrent25kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT681	文件：43.51 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto6000V Meanon-statecurrent840A Surgecurrent10kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD681	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：39.45 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •MediumPowerDarlingtonTR •ComplementtoBD676A,BD678A,BD680AandBD682respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：130.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ComplementaryBD676,676A,678,678A,680,680A,682&684	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD681	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675,675A,677,677A,679,679A,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD681	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：86.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/AareNPNtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. PNPcomplementsareBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD681	文件：94.8 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheBD681,aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-126plasticpackage. TheyareintendedforuseinmediumpowerlinarandswitchingapplicationsThecomplementaryPNPtypesareBD682,respectively.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BD681	文件：337.79 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD675SeriestypesareNPNSiliconDarlingtonPowerTransistors,availableintheplasticTO-126package,andaredesignedforaudioandvideooutputapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD681	文件：130.8 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD676A/678A/680A/682 •DARLINGTON APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
ECK-DGL681MB
功能描述：
CAP CER 680PF 250V 20% RADIAL
RoHS：
否
类别：
电容器 >> 陶瓷
系列：
GL
标准包装：
4,000
系列：
-
电容：
1000pF 电压 -
额定：
50V
容差：
±10%
温度系数：
X7R
安装类型：
表面贴装，MLCC
工作温度：
-55°C ~ 125°C
应用：
自动
额定值：
AEC-Q200
封装/外壳：
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸：
0.079 L x 0.047 W（2.00mm x 1.20mm）高度 -
座高（最大）：
-
厚度（最大）：
-
引线间隔：
-
特点：
-
包装：
带卷(TR)
引线型：
-

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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