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ECH8697R

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

ECH8697R

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

ECH8697R_16

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

ECH8697R-TL-W

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

ECH8697R-TL-W

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

ECH8697R

用于 1-2 节锂电子电池保护的双 N 沟道功率 MOSFET,24 V,10 A,11.6 mΩ

This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells Lithium-ion Battery applications. • 2.5 V drive\n• Suites for Li-Ion battery pack protection circuit (1 cell, 2 cell)\n• Common-Drain Type\n• Best suited for Li-Ion battery pack protection circuit\n• ESD Diode-Protected Gate\n• Stronger to ESD\n• RoHS compliance\n• Environmental consideration\n• Low On-Resistance\n• Built-in Gate Pr;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual Common Drain

  • V(BR)DSS Min (V):

    24

  • VGS Max (V):

    12.5

  • VGS(th) Max (V):

    1.3

  • ID Max (A):

    10

  • PD Max (W):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=17.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=11.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    15

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    6

  • Package Type:

    SOT-28 FL/ECH-8

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