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ECH8693R	文件：84.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells Lithium-ion Battery applications. Features • Low On-Resistance • 2.5 V drive • Common-Drain Type • ESD Diode-Protected Gate • 文件：84.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8693R	文件：305.67 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：305.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8693R_16	文件：305.67 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：305.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8693R-TL-W	文件：305.67 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：305.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8693R	文件：300 bytes Page：1 Pages	用于 1 至 2 节锂电子电池保护的双 N 沟道功率 MOSFET，24V，14A，7mΩ This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells Lithium-ion Battery applications. • 2.5 V drive\n• Suites for Li-Ion battery pack protection circuit (1 cell, 2 cell)\n• Common-Drain Type\n• Best suited for Li-Ion battery pack protection circuit\n• ESD Diode-Protected Gate\n• Stronger to ESD\n• RoHS compliance\n• Environmental consideration\n• Low On-Resistance\n• Built-in Gate Pr;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual Common Drain
V(BR)DSS Min (V)：
24
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
14
PD Max (W)：
1.4
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=10.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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更多ECH8693R供应商更新时间2025-10-7 9:38:00

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