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技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET TyEC:

    N

  • V DS(V):

    65

  • V GS(V):

    20/-12

  • V th (V):

    1/1.5/2.5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    1.8/2.2

  • V GS =4.5V:

    2.9/3.7

  • Ciss(pF):

    9040

  • Coss (pF):

    2180

  • Crss(pF):

    318

  • Qg (nC)=10V:

    130

  • Qgs(nC):

    15.4

  • Qgd(nC):

    35

  • Rg W:

    2.16

  • EAS(mJ):

    500

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    180

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    113

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    278

  • ESDDiode:

    X

  • SchokktyDiode:

    X

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