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ECH0980

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

FTK0980DD

100V N-Channel MOSFETs

文件:853.24 Kbytes 页数:5 Pages

FS

FTK0980P

100V N-Channel MOSFETs

文件:911.03 Kbytes 页数:5 Pages

FS

MSN0980K

85V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

文件:484.91 Kbytes 页数:6 Pages

MORESEMI

摩矽半导体

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET TyEC:

    N

  • V DS(V):

    100

  • V GS(V):

    20/-12

  • V th (V):

    1.2/1.8/2.5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    3.5/4.2

  • V GS =4.5V:

    4.5/6.0

  • Ciss(pF):

    6680

  • Coss (pF):

    1690

  • Crss(pF):

    78

  • Qg (nC)=10V:

    110

  • Qgs(nC):

    11.5

  • Qgd(nC):

    28

  • Rg W:

    1.9

  • EAS(mJ):

    378

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    150

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    95

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    275

  • ESDDiode:

    X

  • SchokktyDiode:

    X

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