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MIS6600	文件：514.86 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MLB6600	文件：161.1 Kbytes Page：1 Pages	LowbandQuarterWaveAntennas Features Thematchingcoilissupportedbyalow-losscoilformtowithstandtheheaviestshocks Durable,attractivehousingsdesignedtodetermoistureingressforlonglasting, reliableoperation Mateswithall1-1/8”-18threadmounts,including3/4”mounts Fieldtunablewithinspecifiedfr	PCTEL PCTEL, Inc	PCTEL
MP6600	文件：979.22 Kbytes Page：18 Pages	35V,1.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6600GR	文件：979.22 Kbytes Page：18 Pages	35V,1.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MPQ6600	文件：82.42 Kbytes Page：2 Pages	QUADDUAL-IN-LINESILICONANNULARTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPQ6600A	文件：82.42 Kbytes Page：2 Pages	QUADDUAL-IN-LINESILICONANNULARTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MXC-6600	文件：242.1 Kbytes Page：2 Pages	EmbeddedFanlessComputer	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌华科技凌华科技股份有限公司	Adlink
NT6600G	文件：1.01001 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD6600N	文件：69.79 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET100V,12A,N?묬hannel,LogicLevelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6600N	文件：298.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=146mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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