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NTD6600N中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTD6600N
厂商型号

NTD6600N

功能描述

Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK

文件大小

69.79 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 18:25:00

产品属性

  • 型号:

    NTD6600N

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
TO252
6000
全新原装 公司现货
询价
ON/安森美
22+
DPAK
20000
保证原装正品,假一陪十
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ON
2018+
DPAK
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承若只做进口原装正品假一赔十!
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ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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安森美
21+
TO252
3800
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ON/安森美
0719+
TO252
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进口原带现货
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