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NT6600G

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.01001 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD6600N

Power MOSFET 100 V, 12 A, N?묬hannel, Logic Level DPAK

文件:69.79 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD6600N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 146mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:298.45 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

PJS6600

30V Complementary Enhancement Mode MOSFET ??ESD Protected

文件:434.92 Kbytes 页数:9 Pages

PANJIT

強茂

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更多NT6600G供应商 更新时间2025-10-11 15:21:00