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|---|---|---|---|---|
ECF15N65D | MOSFET | E-CMOS 飞虹高科 | E-CMOS | |
650V N-Channel MOSFET 文件：881.49 Kbytes 页数：8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.44Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：346.7 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
650V N-Channel MOSFET 文件：1.35299 Mbytes 页数：10 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD |
技术参数
- Configuration：
Single
- MOSFETTyEC：
N
- V DS(V)：
650
- V GS(V)：
±30
- V th (V)：
2/ - /4
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
260/290
- Ciss(pF)：
986
- Coss (pF)：
67.7
- Crss(pF)：
3.36
- Qg (nC)=10V：
18
- Qgs(nC)：
5.9
- Qgd (nC)：
6
- EAS mJ)：
400
- I D(A) Tc=25 ℃：
15
- I D(A) Tc=100 ℃：
9.5
- EC(W)Tc=25 ℃：
32
- ESDDiode：
X
- Schokkty Diode：
X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2022-12-6 9:27:00
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