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|---|---|---|---|---|
ECF12N70 | MOSFET | E-CMOS 飞虹高科 | E-CMOS | |
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability 文件：1.00989 Mbytes 页数：9 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ | ||
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability 文件：1.00989 Mbytes 页数：9 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ | ||
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability 文件：1.00989 Mbytes 页数：9 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | DGNJDZ |
技术参数
- Configuration：
Single
- MOSFET TyEC：
N
- V DS(V)：
700
- V GS(V)：
±30
- V th (V)：
3/4/5
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
900/1100
- Ciss(pF)：
2050
- Coss (pF)：
115
- Qg (nC)=10V：
50.4
- Qgs(nC)：
10.8
- Qgd(nC)：
18.6
- Rg W：
2.6
- EAS(mJ)：
50
- I D(A) Tc=25 ℃：
12
- I D(A) Tc=100 ℃：
7.6
- EC(W)Tc=25 ℃：
37
- ESDDiode：
X
- SchokktyDiode：
X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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