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ECF12N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
F12N65	文件：891.31 Kbytes Page：11 Pages	12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：891.31 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F12N65	文件：891.93 Kbytes Page：11 Pages	12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：891.93 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F12N65	文件：891.23 Kbytes Page：11 Pages	12A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：891.23 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

技术参数

Configuration：
Single
MOSFETTyEC：
N
V DS(V)：
650
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
820/950
Ciss(pF)：
2100
Coss (pF)：
120
Crss(pF)：
12
Qg (nC)=10V：
38.5
Qgs(nC)：
10.7
Qgd (nC)：
11.3
Rg W：
3.3
EAS mJ)：
72
I D(A) Tc=25 ℃：
12
I D(A) Tc=100 ℃：
7.6
EC(W)Tc=25 ℃：
40
ESDDiode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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