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ECF09N65

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

M09N65P

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10741 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

QM09N65B

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10699 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

QM09N65P

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10766 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFETTyEC:

    N

  • V DS(V):

    650

  • V GS(V):

    ±30

  • V th (V):

    3/4/5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    1000/1200

  • Ciss(pF):

    1650

  • Coss (pF):

    105

  • Crss(pF):

    9

  • Qg (nC)=10V:

    31

  • Qgs(nC):

    8.8

  • Qgd (nC):

    9.2

  • Rg W:

    2.8

  • EAS mJ):

    41

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    9

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    5.7

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    37

  • ESDDiode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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更多ECF09N65供应商 更新时间2022-12-6 9:27:00