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ECF07N70	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
GAP07N70	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	Mini size of Discrete semiconductor elements 文件：468.13 Kbytes 页数：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
GE07N70C-A	文件：353.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The GE07N70C-A is specially designed as main switching devices for universal 90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TO-220 type provide high blocking voltage to overcome voltage surge and sag in the toughest power system with the best combination of fast switching, ruggedize 文件：353.77 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GE07N70C-A	文件：357.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：357.53 Kbytes 页数：5 Pages	ETL 亚历电子	ETL

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
700
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
1500/1900
Ciss(pF)：
1250
Coss (pF)：
70
Crss(pF)：
5.6
Qg (nC)=10V：
64.5
Qgs(nC)：
9.7
Qgd(nC)：
36.2
Rg W：
2.5
EAS(mJ)：
25
I D(A) Tc=25 ℃：
7
I D(A) Tc=100 ℃：
4.4
EC(W)Tc=25 ℃：
31
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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