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ECF03N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
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QM03N65D	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.0762 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UD03N65	文件：1.079 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.079 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
650
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
4000/5200
Ciss(pF)：
430
Coss (pF)：
32
Crss(pF)：
3.7
Qg (nC)=10V：
10.2
Qgs(nC)：
2.1
Qgd(nC)：
5.5
Rg W：
2.4
EAS(mJ)：
65
I D(A) Tc=25 ℃：
3
I D(A) Tc=100 ℃：
1.9
EC(W)Tc=25 ℃：
22
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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