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ECF01N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FTN01N65C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement InPower Product Lines 文件：54.71 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PMS01N65	文件：1.08856 Mbytes Page：5 Pages	650V N-Channel MOSFET FEATURE ➢ Low gate charge ➢ Low Crss ➢ Fast switching capability ➢ 100% avalanche test ➢ Improved dv/dt capability ➢ RoHS products APPLICATIONS ➢ LED Lighting ➢ Charger ➢ Standby Power 文件：1.08856 Mbytes 页数：5 Pages	SY 顺烨电子	SY
QM01N65D	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08606 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
650
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/ - /5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
95000/12000
Ciss(pF)：
180
Coss (pF)：
18
Crss(pF)：
5
Qg (nC)=10V：
6
Qgs(nC)：
2
Qgd(nC)：
2.2
Rg W：
2.2
EAS(mJ)：
2
I D(A) Tc=25 ℃：
1
I D(A) Tc=100 ℃：
0.6
EC(W)Tc=25 ℃：
17
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ECF01N65供应商更新时间2026-3-13 15:24:00

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