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ECEB2310Y

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

LMX2310

PLLatinum??Ultra Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件:662.5 Kbytes 页数:29 Pages

NSC

国半

LMX2310U

PLLatinum??Ultra Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

LMX2310USLDX

PLLatinum??Ultra Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

技术参数

  • Configure:

    Single

  • MOSFET TyEC:

    N

  • V DS(V):

    20

  • V GS(V):

    ±10

  • V th (V):

    0.3/0.6/1

  • GS =4.5V:

    8/10

  • GS =2.5V:

    9.5/12

  • GS =1.8V:

    12/17

  • Ciss(pF):

    1020

  • Coss (pF):

    160

  • Crss(pF):

    110

  • Qg (nC)=4.5V:

    16.9

  • Qgs (nC):

    1.1

  • Qgd (nC):

    4

  • Rg W:

    2

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    11

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    6.9

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    2.08

  • ESDDiode:

    O

  • Schokkty Diode:

    X

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更多ECEB2310Y供应商 更新时间2026-3-31 9:19:00