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ECD6910	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
EL6910	文件：7.41386 Mbytes Page：144 Pages	TwinSAFE Logic Terminal 文件：7.41386 Mbytes 页数：144 Pages	BECKHOFF 倍福自动化	BECKHOFF
FDS6910	文件：112.77 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 文件：112.77 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS6910-TP	文件：3.39687 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES \| RosOM=16 mO@VES=10v © Ros =20 MO @VGS=4.5V \| ® Super high density cell design for extremely low RoSON \| ® Exceptional on-resistance and maximum DC curent cy \| 文件：3.39687 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
60
V GS(V)：
±20
V th (V)：
1.2/1.8/2.5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
43/50
V GS =4.5V：
50/60
Ciss(pF)：
800
Coss (pF)：
380
Crss(pF)：
115
Qg (nC)=10V：
14
Qgs(nC)：
2.9
Qgd(nC)：
2.3
Rg W：
1.7
EAS(mJ)：
11
I D(A) Tc=25 ℃：
16
I D(A) Tc=100 ℃：
10
EC(W)Tc=25 ℃：
31
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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