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技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
60
V GS(V)：
±20
V th (V)：
1/1.6/2.5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
3.8/4.5
V GS =4.5V：
4.2/5.5
Ciss(pF)：
6805
Coss (pF)：
445
Crss(pF)：
195
Qg (nC)=4.5V：
58.2
Qgs(nC)：
16.2
Qgd(nC)：
23.4
Rg W：
1.3
EAS(mJ)：
450
I D(A) Tc=25 ℃：
90
I D(A) Tc=100 ℃：
60
EC(W)Tc=25 ℃：
132
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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