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ECD2314	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
EMH2314	文件：769.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection Diode in 文件：769.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2314	文件：518.73 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection Diode in 文件：518.73 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2314-TL-H	文件：769.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection Diode in 文件：769.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
20
V GS(V)：
±10
V th (V)：
0.4/0.6/1
V GS =4.5V：
21/25
V GS =2.5V：
28/36
V GS =1.8V：
39/51
Ciss(pF)：
535
Coss (pF)：
60
Crss(pF)：
34
Qg (nC)=4.5V：
7.7
Qgs(nC)：
0.9
Qgd(nC)：
2.4
I D(A) Tc=25 ℃：
20
I D(A) Tc=100 ℃：
12
EC(W)Tc=25 ℃：
20.8
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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更多ECD2314供应商更新时间2026-3-13 15:24:00

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