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ECD0958A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
ENA0958	文件：60.91 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Ultrahigh-speed switching • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：60.91 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ENA0958A	文件：489.31 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：489.31 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
PX0958/P	文件：271.67 Kbytes Page：11 Pages	Plugs and Sockets 文件：271.67 Kbytes 页数：11 Pages	BULGIN	BULGIN

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
100
V GS(V)：
±20
V th (V)：
2/3/4
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
65/85
Ciss(pF)：
615
Coss (pF)：
47
Crss(pF)：
29
Qg (nC)=10V：
10.5
Qgs(nC)：
4.8
Qgd(nC)：
2.9
Rg W：
2.1
EAS(mJ)：
18
I D(A) Tc=25 ℃：
15
I D(A) Tc=100 ℃：
9.5
EC(W)Tc=25 ℃：
40
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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