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ECD04N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
EMD04N60AB	文件：200.26 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 600V RDSON (MAX.) 2.4Ω ID 4A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：200.26 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD04N60AK	文件：200.9 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：200.9 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD04N60CS	文件：198.25 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：198.25 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
600
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
1850/2200
Ciss(pF)：
760
Coss (pF)：
54
Crss(pF)：
4
Qg (nC)=10V：
16.5
Qgs(nC)：
4.5
Qgd(nC)：
5.5
Rg W：
2.6
EAS(mJ)：
25
I D(A) Tc=25 ℃：
4
I D(A) Tc=100 ℃：
2.5
EC(W)Tc=25 ℃：
50
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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更多ECD04N60供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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