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ECD03N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FM03N65D	文件：744.3 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET Features ■Low On-Resistance ■Fast Switching ■High Resistance ■RoHS Compliant Application ■Electronic Ballast ■Electronic Transformer ■Switch Model Power Supply 文件：744.3 Kbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
QM03N65D	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.0762 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UD03N65	文件：1.079 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.079 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
650
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
4000/5200
Ciss(pF)：
430
Coss (pF)：
32
Crss(pF)：
3.7
Qg (nC)=10V：
10.2
Qgs(nC)：
2.1
Qgd(nC)：
5.5
Rg W：
1.5
EAS(mJ)：
65
I D(A) Tc=25 ℃：
3
I D(A) Tc=100 ℃：
1.9
EC(W)Tc=25 ℃：
39
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ECD03N65供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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