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ECD02N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FTA02N65C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement InPower Product Lines 文件：54.71 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
H02N65	文件：171.49 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient de 文件：171.49 Kbytes 页数：6 Pages	HSMC 华昕	HSMC
QM02N65D	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08606 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
650
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/ - /5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
7500/9000
Ciss(pF)：
230
Coss (pF)：
22
Crss(pF)：
4
Qg (nC)=10V：
7.5
Qgs(nC)：
2.2
Qgd(nC)：
2.3
Rg W：
1.8
EAS(mJ)：
9
I D(A) Tc=25 ℃：
2
I D(A) Tc=100 ℃：
1.3
EC(W)Tc=25 ℃：
32
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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