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E4435B	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	Calibration and Adjustment Software for Agilent RF/W Instruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
ETD4435	文件：111.5 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPowerTransformer	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
FDMC4435BZ	文件：375.26 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-18A,20.0m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance.ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS4435BZ	文件：266.29 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-18A,20m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance.ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：65.65 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：264.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrench?줞OSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：637.39 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features •–8.8A,–30VRDS(ON)=20mW@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435	文件：429.15 Kbytes Page：7 Pages	-30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDS4435A	文件：264.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrench?줞OSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •–9A,–30V.RDS(ON)=0.017Ω@VGS=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435A	文件：172.6 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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