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FDMC4435BZ中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDMC4435BZ

功能描述

P-Channel Power Trench짰 MOSFET -30V, -18A, 20.0m廓

文件大小

375.26 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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FDMC4435BZ规格书详情

General Description

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

特性 Features

■ Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A

■ Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 A

■ Extended VGSS range (-25 V) for battery applications

■ High performance trench technology for extremely low rDS(on)

■ High power and current handling capability

■ HBM ESD protection level >7 kV typical (Note 4)

■ 100 UIL Tested

■ Termination is Lead-free and RoHS Compliant

Applications

■ High side in DC - DC Buck Converters

■ Notebook battery power management

■ Load switch in Notebook

产品属性

  • 型号:

    FDMC4435BZ

  • 功能描述:

    MOSFET -30V P-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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