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DXT5551P5 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 DIODES/美台半导体

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
1000+
  • 厂家型号:

    DXT5551P5

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    DIODES-美台

  • 库存数量:

    78800

  • 产品封装:

    DI5

  • 生产批号:

    24+25+/26+27+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-10-25 14:19:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:DXT5551P5品牌:DIODES-美台

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DXT5551P5是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商DIODES-美台/Diodes Incorporated生产封装DI5/PowerDI™ 5的DXT5551P5晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

  • 芯片型号:

    DXT5551P5

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    DIODES【美台半导体】详情

  • 厂商全称:

    Diodes Incorporated

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    135.97 kb

  • 资料说明:

    160V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :DXT5551P5

  • 生产厂家

    :达尔

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :0.6 A

  • ICM

    :N/A A

  • PD

    :2.25 W

  • hFE

    :80 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.01 A

  • hFE (Min 2)

    :30

  • hFE (@ IC2)

    :0.05 A

  • VCE (SAT) Max

    :150 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.01/1

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :0.05/5

  • fT (MHz)

    :130

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :200 mV

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :PowerDI5

供应商

  • 企业:

    深圳市川科科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    刘先生

  • 手机:

    13147005145

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