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DXT2013P5分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DXT2013P5
厂商型号

DXT2013P5

参数属性

DXT2013P5 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 5A POWERDI5

功能描述

100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5

封装外壳

PowerDI™ 5

文件大小

210.69 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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DXT2013P5规格书详情

Features

• 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252

• Maximum height just 1.1mm

• Rated up to 3.2W

• VCEO = -100V

• IC = -5A; ICM = -10A

• Low Saturation voltage

• Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1)

• “Green” Device (Note 2)

Applications

• SLIC DC-DC Converter

产品属性

  • 产品编号:

    DXT2013P5-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    340mV @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerDI™ 5

  • 供应商器件封装:

    PowerDI™ 5

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 5A POWERDI5

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