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DXT2010P5分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DXT2010P5

参数属性

DXT2010P5 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A POWERDI5

功能描述

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5
TRANS NPN 60V 6A POWERDI5

封装外壳

PowerDI™ 5

文件大小

204.17 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-10 8:48:00

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DXT2010P5规格书详情

DXT2010P5属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DXT2010P5晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252

• Maximum height just 1.1mm

• Rated up to 3.2W

• VCEO = 60V

• IC = 6A; ICM = 20A

• Low Saturation voltage

• Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1)

• “Green” Device (Note 2)

Applications

• Motor driver

• Regulator circuit

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DXT2010P5-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    260mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerDI™ 5

  • 供应商器件封装:

    PowerDI™ 5

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 6A POWERDI5

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