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DXT2011P5-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DXT2011P5-13
厂商型号

DXT2011P5-13

参数属性

DXT2011P5-13 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A POWERDI5

功能描述

100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR PowerDI짰5

封装外壳

PowerDI™ 5

文件大小

209.74 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 11:22:00

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DXT2011P5-13规格书详情

Features

• BVCEO > 100V

• IC = 6A High Continuous Collector Current

• ICM = 10A Peak Collector Current

• PD up to 3.2W

• 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252

• Maximum height just 1.1mm

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• Motor Drive

• Voltage Regulator using Emitter-Follower

• DC-DC Converter

• Telecoms

• Power Management

产品属性

  • 产品编号:

    DXT2011P5-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerDI™ 5

  • 供应商器件封装:

    PowerDI™ 5

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 6A POWERDI5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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