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DW450N15	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Power Metal Strip® Battery Shunt Resistor With M4 Tapped Holes and Sn Plated Terminals,Very Low Value(50 μΩ,100μΩ,125μΩ and 250μΩ) ·AEC-Q200 qualified\n·Compliant with requirement #26 of NF-EN45545-2\n·Hifh power 600 W at 85℃ bottom case temperature;	Dowellsemi 敦为	Dowellsemi
DW82801GBSLJZ8	文件：0 bytes Page：0 Pages	PBGA-652	Intel 英特尔上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	Intel
DW82801HBM	文件：0 bytes Page：0 Pages		INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
DW82801HBMSLJ4Y	文件：0 bytes Page：0 Pages		INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
DW82801JDOSLJZA	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA652	INTEL/英特尔上传：深圳庞田科技有限公司	INTEL/英特尔

技术参数

Type：
N-CH
ESD Diode：
NO
VDS(V)：
150
ID(A)25℃：
1.7
VGS(V)：
±20
VTH typ(V)@ID=250μA：
2.0
RDS(on)@10V(mΩ typ)：
510
RDS(on)@4.5V(mΩ typ)：
520
RDS(on)@3.3V(mΩ typ)：
--
RDS(on)@2.5V(mΩ typ)：
--
Ciss(pF)：
308
Coss(pF)：
10.6
Crss(pF)：
6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DW450N15供应商更新时间2025-12-22 14:01:00

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