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DU2860	文件：182.11 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 6OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Bipolar Devices 文件：182.11 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2860	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET Power Transistor/ 6OW/ 28V 2 - 175 MHz	MACOM	MACOM
DU2860T	文件：161.02 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 60W, 2-175MHz, 28V Features • N-Channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than bipolar devices 文件：161.02 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2860T	文件：182.11 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 6OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Bipolar Devices 文件：182.11 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2860U	文件：149.33 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 60W, 2-175MHz, 28V Features • N-Channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than bipolar devices 文件：149.33 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2860U	文件：203.15 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 6OW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances for Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Bipolar Devices 文件：203.15 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU2860T	文件：161.02 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：161.02 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2860T_17	文件：643.88 Kbytes Page：4 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：643.88 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2860U	文件：149.33 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：149.33 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU2860U	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Power MOSFET Transistor 60W, 2-175MHz, 28V ·N-Channel Enhancement Mode Device\n·High Saturate Output Power\n·Lower Capacitances for Broadband Operation\n·DMOS Structure\n·Lower Noise Figure than Bipolar Devices;	MACOM	MACOM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
2
Max Frequency(MHz)：
175
Bias Voltage(V)：
28.0
Pout(W)：
60.00
Gain(dB)：
13.00
Efficiency(%)：
60
Type：
DMOS
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Ceramic Flange Mount

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