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DU28200	文件：177.19 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 2OOW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances For Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Bipolar Devices 文件：177.19 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU28200	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 2OOW, 28V 2 - 175 MHz	MACOM	MACOM
DU28200M	文件：156.93 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 200W, 2-175MHz, 28V Features • N-Channel enhancement mode device • DMOS structure • Lower capacitances for broadband operation • High saturated output power • Lower noise figure than bipolar devices • RoHS Compliant 文件：156.93 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU28200M	文件：177.19 Kbytes Page：3 Pages	RF MOSFET Power Transistor, 2OOW, 28V 2 - 175 MHz Features • N-Channel Enhancement Mode Device • DMOS Structure • Lower Capacitances For Broadband Operation • High Saturated Output Power • Lower Noise Figure Than Bipolar Devices 文件：177.19 Kbytes 页数：3 Pages	MACOM	MACOM
DU28200M	文件：156.93 Kbytes Page：3 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：156.93 Kbytes 页数：3 Pages	MA-COM	MA-COM
DU28200M_17	文件：632.08 Kbytes Page：4 Pages	RF Power MOSFET Transistor 文件：632.08 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
DU28200M	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Power MOSFET Transistor 200W, 2-175MHz, 28V ·N-Channel Enhancement Mode Device\n·Lower Noise Figure than Bipolar Devices\n·High Saturate Output Power\n·Lower Capacitances for Broadband Operation\n·DMOS structure;	MACOM	MACOM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
2
Max Frequency(MHz)：
175
Bias Voltage(V)：
28.0
Pout(W)：
200.00
Gain(dB)：
13.00
Efficiency(%)：
55
Type：
DMOS
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Ceramic Flange Mount

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