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IRFR1N60ATRRPBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU1N60A	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU1N60A	文件：181.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU1N60A	文件：341.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=7Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFU1N60A	文件：2.6729 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSup	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU1N60A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPL	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU1N60APBF	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFU1N60APBF	文件：231.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptablePowerSupply ●PowerFactorCorrecti	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
JCS1N60C	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS1N60NC-O-N-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-B	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS1N60R-O-R-N-B	文件：1.3952 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
JCS1N60VC-O-V-N-B	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JMP1N60A	文件：235.033 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
JMP1N60A	文件：235.033 Kbytes Page：8 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
K1N60SA	文件：300.13 Kbytes Page：7 Pages	TRIAC(SiliconBidirectionalThyristor)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KF1N60D	文件：614.39 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID=1A •RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS=1	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DTL1N60	DIN-TEK	21+ROHS	TO251	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多DTL1N60供应商更新时间2024-6-1 11:10:00

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