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DTD114EC	文件：1.08332 Mbytes Page：8 Pages	丝印：F24；Package：SOT-23；500mA/50V Digital transistor 文件：1.08332 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTD114ECHZG	文件：1.08243 Mbytes Page：8 Pages	500mA/50V Digital transistor (with built-in resistors) 文件：1.08243 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTD114ECT116	文件：1.08332 Mbytes Page：8 Pages	500mA/50V Digital transistor 文件：1.08332 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTD114ECHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	500mA/50V 数字晶体管（电阻内置型晶体管） DTD114ECHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 • Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kΩ\n• Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) .\n• Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.\n• Complementary PNP T;	ROHM 罗姆	ROHM
DTD114ECHZGT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3	ROHM 罗姆	ROHM
DTD114ECT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
DTD114EC,EK
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
UN2223,2SC3912,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.6

技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Supply Status：
Active
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.5
Input resistance R1 1[kΩ]：
10
Emitter base Resistance R2 1[kΩ]：
10
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.5
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多DTD114EC供应商更新时间2026-10-27 16:30:00

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