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DTC124XE	文件：143.79 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k 文件：143.79 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XE	文件：135.9 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k 文件：135.9 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XE3HZG	文件：1.2294 Mbytes Page：8 Pages	丝印：45；Package：SOT-416；NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors, 　 R1 = 22kΩ, R2 = 47kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of 　an inverter circuit without connecting external 　input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set 　for operation, making the circuit desi 文件：1.2294 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTC124XET1	文件：145.56 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：145.56 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XET1	文件：187.66 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：187.66 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XET1	文件：102.91 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：102.91 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XET1G	文件：102.91 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：102.91 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XET1G	文件：145.56 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：145.56 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTC124XE_09	文件：147.58 Kbytes Page：3 Pages	100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：147.58 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTC124XEFRA	文件：894.39 Kbytes Page：8 Pages	丝印：45；Package：SOT-416；NPN 100mA 50V Digital Transistor 文件：894.39 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
DTC124XE
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
RN1108,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

封装：
EMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-416
JEITA Package：
SC-75A
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
22
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
68 or more
Output Current [A]：
0.05
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.7)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	DTC124XE	ROHM	24+	SOT-523	15200	新进库存/原装	询价
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