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DTB743ZM

丝印:P13;Package:VMT3;-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors)

Feature 1) VCE(sat) is lower than conventional products. 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow p

文件:63.94 Kbytes 页数:2 Pages

ROHM

罗姆

DTB743ZM

丝印:Y13;Package:EMT3;PNP -200mA -30V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

文件:401.82 Kbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

DTB743ZM

丝印:P13;Package:VMT3;200mA / ??0V Low VCE (sat) Digital transistors

文件:968.44 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

DTB743ZMT2L

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

ROHM

罗姆

DTB743ZMT2L

Package:SOT-723;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    200mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    30V

  • 电阻器 - 基底(R1):

    4.7 kOhms

  • 电阻器 - 发射极基底(R2):

    47 kOhms

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    140 @ 100mA,2V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 频率 - 跃迁:

    260MHz

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    VMT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DTB743ZM供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00