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|---|---|---|---|---|
DTB723YM | 丝印：M52；Package：VMT3；-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) 文件：63.83 Kbytes 页数：2 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
DTB723YM | 丝印：T2L；Package：VMT3；-200mA / -30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) 文件：191.26 Kbytes 页数：3 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
DTB723YM | 丝印：M52；Package：VMT3；PNP -200mA -30V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：305.62 Kbytes 页数：7 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
Package：SOT-723；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
技术参数
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
- 电阻器 - 基底（R1）：
2.2 kOhms
- 电阻器 - 发射极基底（R2）：
10 kOhms
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
140 @ 100mA，2V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 频率 - 跃迁：
260MHz
- 功率 - 最大值：
150mW
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VMT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
25+ |
SOT-723 |
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Rohm Semiconductor |
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VMT3 |
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ROHM/罗姆 |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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EMT3 |
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ROHM/罗姆 |
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VMT3 |
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更新时间2021-9-14 10:50:00
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