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DTB123YC	文件：65.56 Kbytes Page：3 Pages	Digital transistors (built-in resistors) Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advanta 文件：65.56 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YC	文件：1.09433 Mbytes Page：8 Pages	PNP -500mA -50V Digital transistor Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advanta 文件：1.09433 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YCHZG	文件：1.1546 Mbytes Page：9 Pages	丝印：F52；Package：SOT-23；PNP -500mA -50V Digital transistor (with built-in resistors) Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.(see equivalent circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advanta 文件：1.1546 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YC	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP -500mA -50V 数字晶体管（电阻内置型晶体管） DTB123YC是电阻内置型晶体管。偏置用电阻由薄膜电阻构成，由于采用完全绝缘，可将输入向正方向偏置。还有几乎不产生寄生效应的优点。 • 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.(see equivalent circuit)\n• biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.\n• 3)Only the on/off conditions need to be set f;	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YCHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP -500mA -50V 数字晶体管（电阻内置型晶体管） DTB123YCHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 • Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors. (see equivalent circuit)\n• biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.\n• Complementary NPN Types: DTD123YC HZG;	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YCA	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,500mA,PNP Bipolar Digital Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
DTB123YCHZGT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST	ROHM 罗姆	ROHM
DTB123YCT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
DTB123YC,YK
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
UN2124,2SA1520,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.6

技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.5
Input resistance R1 1 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
10
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.5
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)

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更多DTB123YC供应商更新时间2026-1-25 13:02:00

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