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DTA143ZEB	文件：1.53475 Mbytes Page：11 Pages	丝印：E13；Package：EMT3F；PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 4.7kΩ, R2 = 47kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy. 文件：1.53475 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA143ZEBTL	文件：554.19 Kbytes Page：11 Pages	DTA143Z series Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 4.7kΩ, R2 = 47kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy. 文件：554.19 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA143ZET1	文件：211.37 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monol 文件：211.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA143ZET1	文件：142.68 Kbytes Page：12 Pages	PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monol 文件：142.68 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA143ZETL	文件：554.19 Kbytes Page：11 Pages	PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 4.7kΩ, R2 = 47kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy. 文件：554.19 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA143ZE-TP	文件：101.46 Kbytes Page：3 Pages	PNP Digital Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resist 文件：101.46 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
DTA143ZE_09	文件：147.66 Kbytes Page：3 Pages	-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：147.66 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA143ZE_11	文件：187.91 Kbytes Page：3 Pages	PNP Digital Transistors 文件：187.91 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
DTA143ZE_13	文件：207.77 Kbytes Page：3 Pages	PNP Digital Transistors 文件：207.77 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
DTA143ZEBHZG	文件：1.19006 Mbytes Page：8 Pages	丝印：E13；Package：SOT-416FL；PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) 文件：1.19006 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
DTA143ZE
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
RN2106,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

封装：
EMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-416
JEITA Package：
SC-75A
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
4.7
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
80 to
Output Current [A]：
0.1
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.7)

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更多DTA143ZE供应商更新时间2026-4-19 14:14:00

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