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DTA143EET1G

PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monol

文件:142.68 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA143EET1G

Bias Resistor Transistors

文件:108.32 Kbytes 页数:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA143EET1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k

文件:145.52 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA143EET1G

Digital Transistors (BRT)

文件:108.62 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA143EET1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 kA

文件:148.94 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA143EET1G

BIAS RESISTOR

DOESHARE

德芯微电子

DTA143EET1G

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    DTA143EET1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SC-75,SOT-416

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75

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更多DTA143EET1G供应商 更新时间2025-10-4 13:10:00