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DTA123EET1G

PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

文件:103.89 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA123EE

PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

DTA123EE3HZG

PNP, SOT-416, R1=R2 车载数字晶体管(内置偏置电阻的晶体管)

DTA123EE3HZG是一款车规级高可靠性数字晶体管。 • Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2kΩ\n• Built-in bias resistors enable the configuration of\nan inverter circuit without connecting external\ninput resistors (see inner circuit) .\n• Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.\n• Complementary NP;

ROHM

罗姆

DTA123EEB

PNP -100mA -50V 数字晶体管(内置电阻器)

DTA123EEB是一款电阻内置型晶体管。内置偏置电阻,因此输入侧无需外置电阻器也可构成逆变电路。

ROHM

罗姆

DTA123EEBTL

Package:SC-89,SOT-490;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

ROHM

罗姆

DTA123EEFRATL

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO

ROHM

罗姆

DTA123EET1

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    DTA123EE

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    PNP

  • IC Continuous (A):

    0.1

  • V(BR)CEO Min (V):

    50

  • hFE Min:

    8

  • R1 (kΩ):

    2.2

  • R2 (kΩ):

    2.2

  • R1/R2 Typ:

    1

  • Vi(off) Max (V):

    0.5

  • Vi(on) Min (V):

    2

  • Package Type:

    SC-75-3

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