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DTA114EM	文件：167.34 Kbytes Page：4 Pages	丝印：14；Package：VMT3；100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 文件：167.34 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114EM	文件：275.93 Kbytes Page：11 Pages	丝印：14；Package：VMT3；PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：275.93 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114EM	文件：3.89513 Mbytes Page：12 Pages	丝印：14；Package：VMT3；PNP -100mA -50V Digital Transistors 文件：3.89513 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114EM	文件：275.93 Kbytes Page：11 Pages	丝印：14；Package：VMT3；PNP -100mA -50V Digital Transistors 文件：275.93 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114EM	文件：158.47 Kbytes Page：4 Pages	100mA / 50V Digital transistors(with built-in resistors) 文件：158.47 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114EM3T5G	文件：124.37 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of tw 文件：124.37 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114EM_11	文件：158.47 Kbytes Page：4 Pages	100mA / 50V Digital transistors(with built-in resistors) 文件：158.47 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114EM3	文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：146.35 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114EM3	文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：184.73 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114EM3	文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.93 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

封装：
VMT3
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-723
JEITA Package：
SC-105AA
Number of terminal：
3
Polarity：
PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
10
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
10
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
GI hFE：
30 to
Output Current [A]：
0.05
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.2x1.2 (t=0.5)

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更多DTA114EM供应商更新时间2025-11-29 14:32:00

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