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DTA114TL-T9S-K	文件：175.14 Kbytes Page：3 Pages	DIGITAL TRANSISTORS 文件：175.14 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
DTA114TM	文件：529.3 Kbytes Page：10 Pages	丝印：94；Package：VMT3；PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：529.3 Kbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
DTA114-TM	文件：97.46 Kbytes Page：2 Pages	PNP Digital Transistor 文件：97.46 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
DTA114TM3	文件：149.52 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.52 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114TM3	文件：182.98 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：182.98 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114TM3	文件：146.19 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = k 文件：146.19 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114TM3T5G	文件：149.52 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.52 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114TM3T5G	文件：182.98 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：182.98 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114TM3T5G	文件：146.19 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = k 文件：146.19 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
DTA114TMFHA	文件：998.35 Kbytes Page：7 Pages	丝印：94；Package：SOT-723；PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) 文件：998.35 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
DTA114T(A,F,L,S,V)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AN1A4Z,RN2011,UN4115,2SA1497,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
A-68
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

VCCVCEO(V)Max.：
50.000
IO(MAX.)IC(MAX.)(mA)：
100.000
GI(hFE)MIN.：
100.000
GI(hFE)MAX.：
600.000
GI(hFE)test_IO(mA)：
1.000
GI(hFE)test_VO(V)：
5.000
R1(KΩ)Typ.：
10.000
R2(KΩ)Typ.：
None
fTTyp.(MHz)：
250.000
Package：
SOT-23_SOT-323_SOT-523_TO-92_TO-92SP_SOT-723

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