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DTA114EE	文件：165.58 Kbytes Page：8 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase–emitterresistor.The	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTA114EE	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	丝印：14；Package：SOT-523；Digital Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1=R2. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
DTA114EE	文件：719.6 Kbytes Page：10 Pages	DIGITAL TRANSISTORS (BRT) NPN TRANSISTORS WITH MONOLITHIC BIAS RESISTOR NETWORK DESCRIPTION Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedto replaceasingledeviceanditsexternalresistorbias network.TheBiasResistorTransistor(BRT) containsasingletransistorwithamonolithicbias networkconsistingoftworesistors;aseriesbase resistorandabaseemi	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
DTA114EE	文件：298.54 Kbytes Page：3 Pages	The PNP style digital transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypesavailable(DTC). ●Built-inbiasingresistors,R1=R2. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●ThePNPstyledigitaltransistor.	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
DTA114EE	文件：178.35 Kbytes Page：3 Pages	Digital Transistors Features ●PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor(ResistorBuilt-InTyp.) ●Built-InBiasResistorsEnableTheConfigurationofAnInverter CircuitWithoutConnectingExternalInputResistors (SeeEquivalentCircuit).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
DTA114EE	文件：348.39 Kbytes Page：2 Pages	Digital transistors (PNP) FEATURES 1.Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 2.Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationtoallowpositivebiasingoftheinput.Theyalsohavetheadvantag	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
DTA114EE	文件：275.93 Kbytes Page：11 Pages	丝印：14；Package：EMT3；DTA114E series −100mA/−50VDigitaltransistors (withbuilt-inresistors) Features 1)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 2)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationto	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTA114EE	文件：275.93 Kbytes Page：11 Pages	丝印：14；Package：EMT3；DTA114E series −100mA/−50VDigitaltransistors (withbuilt-inresistors) Features 1)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationofaninvertercircuitwithoutconnectingexternalinputresistors(seeequivalentcircuit). 2)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistorswithcompleteisolationto	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTA114EE	文件：69.94 Kbytes Page：3 Pages	丝印：14；Package：SOT-416；Digital transistors (built-in resistors) Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTA114EE	文件：90.65 Kbytes Page：4 Pages	丝印：14；Package：SOT-416；Digital transistors (built-in resistors) Features 1)Built-InBiasingResistors,R1=R2=10kΩ 2)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 3)Onlytheon/offconditionsneedtobeset foroperation,makingthecircuitdesigne	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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技术参数

VCCVCEO(V)Max.：
50.000
IO(MAX.)IC(MAX.)(mA)：
200.000
GI(hFE)MIN.：
100.000
GI(hFE)test_IO(mA)：
1.000
GI(hFE)test_VO(V)：
5.000
R1(KΩ)Typ.：
1.000
R2(KΩ)Typ.：
None
fTTyp.(MHz)：
200.000
Package：
SOT-23

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