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DSS5320T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DSS5320T

参数属性

DSS5320T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

功能描述

20V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

127.6 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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更新时间

2025-11-26 14:31:00

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DSS5320T规格书详情

DSS5320T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DSS5320T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Ideal for Medium Power Amplification and Switching

• “Lead Free”, RoHS Compliant (Note 1)

• Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DSS5320T-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes Incorporated
25+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
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