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DSS5220V-7分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS5220V-7 |
| 参数属性 | DSS5220V-7 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 2A SOT563 |
| 功能描述 | LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 文件大小 |
125.63 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-10 23:00:00 |
| 人工找货 | DSS5220V-7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS5220V-7规格书详情
DSS5220V-7属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DSS5220V-7晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary PNP Type Available (DSS4220V)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)
• High Current Gain (hFE) at High IC
• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly
• Ultra-Small Surface Mount Package
• Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)
• Green Device (Note 2)
产品属性
更多- 产品编号：
DSS5220V-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
390mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
155 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：
SOT-563
- 描述：
TRANS PNP 20V 2A SOT563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT-563 |
3022 |
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DIODES/美台 |
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NA/ |
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DIODES |
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DIODES/美台 |
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SOT563 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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