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DSS5160V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DSS5160V
厂商型号

DSS5160V

参数属性

DSS5160V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 1A SOT563

功能描述

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

SOT-563,SOT-666

文件大小

123.91 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 10:26:00

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DSS5160V规格书详情

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary NPN Type Available (DSS4160V)

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)

• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly

• Ultra-Small Surface Mount Package

• Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

产品属性

  • 产品编号:

    DSS5160V-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    330mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-563

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1A SOT563

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