DSS5220V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DSS5220V |
参数属性 | DSS5220V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT563 |
功能描述 | LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
封装外壳 | SOT-563,SOT-666 |
文件大小 |
125.63 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 11:30:00 |
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DSS5220V规格书详情
特性 Features
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary PNP Type Available (DSS4220V)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)
• High Current Gain (hFE) at High IC
• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly
• Ultra-Small Surface Mount Package
• Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)
• Green Device (Note 2)
产品属性
- 产品编号:
DSS5220V-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
390mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
155 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:
SOT-563
- 描述:
TRANS PNP 20V 2A SOT563
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
SOT563 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
SOT563 |
360000 |
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DIODES/美台 |
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SOT563 |
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DIODES |
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SOT-563 |
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DIODES/美台 |
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SOT563 |
50000 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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SOT563 |
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DIODES/美台 |
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