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DSEP29-06AS	文件：50.09 Kbytes Page：3 Pages	HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery Features • International standard package • Planar passivated chips • Very short recovery time Extremely low switching losses • Low IRM-values • Soft recovery behaviour • Epoxy meets UL 94V-0 Applications • Antiparallel diode for high frequency switching devices • Antisaturation diode • 文件：50.09 Kbytes 页数：3 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
DSEP29-06AS	文件：293.41 Kbytes Page：2 Pages	Ultra fast Rectifier FEATURES • With TO-263(DPAK) packaging • Insulated package by fully molding • Low forward voltage drop • Super high speed switching • High reliability by planer design • High surge current capability • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLI 文件：293.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DSEP29-06AS	文件：2.62153 Mbytes Page：5 Pages	ThinkiSemi 30Ampere,600Volt Surface Mount Ultrafast Recovery Epitaxial Diode 文件：2.62153 Mbytes 页数：5 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
DSEP29-06AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	HiperFRED低Vf	Littelfuse 力特	Littelfuse
DSEP29-06AS-TRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 30A TO263	IXYS 艾赛斯	IXYS
DSEP29-06AS-TUB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Average Continuous Current Rating：
30
Case temperature：
135
Maximum Surge Current [Diode] (A)：
250
maximum virtual junction temperature：
175
Thermal resistance [junction-case] (K/W)：
0.9
Thermal Resistance caseheatsink KW：
0.25
trr typ ns：
35
IRM：
6
Maximum rate of rise in current over time.：
200
Sample Request：
Yes
Package Type：
TO-263AB (D2Pak)

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更多DSEP29-06AS供应商更新时间2026-1-30 13:30:00

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