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LM2792LDX-H	文件：204.41 Kbytes Page：10 Pages	CurrentRegulatedSwitchedCapacitorLEDDriverwithAnalogBrightnessControl	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM2792LDX-L	文件：204.41 Kbytes Page：10 Pages	CurrentRegulatedSwitchedCapacitorLEDDriverwithAnalogBrightnessControl	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP2792	文件：514.95 Kbytes Page：7 Pages	Lowpowerprimaryfeedbackcontrolchip	LANDPShenzhen Xinmao Microelectronics Co., Ltd. 芯茂微深圳市芯茂微电子有限公司	LANDP
NJM2792	文件：299.14 Kbytes Page：9 Pages	QuadBoostAmplifier ■GENERALDESCRIPTION TheNJM2792isaquadboostamplifierdesignedforcar audiosystem.Itexpandsthefrequencycharacteristicsby highslewrate. Itcanswing14Vpeak-to-peakoutputvoltageat9V.It consistsoffourchannelnon-invertingamplifierwiththegain of8dB. Itissuitable	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM2792V	文件：299.14 Kbytes Page：9 Pages	QuadBoostAmplifier ■GENERALDESCRIPTION TheNJM2792isaquadboostamplifierdesignedforcar audiosystem.Itexpandsthefrequencycharacteristicsby highslewrate. Itcanswing14Vpeak-to-peakoutputvoltageat9V.It consistsoffourchannelnon-invertingamplifierwiththegain of8dB. Itissuitable	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
TZ2792A	文件：101.1 Kbytes Page：6 Pages	HC49SMD13.56MHzCrystalUnit Features: GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49SMDcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA2792AGR	文件：350.11 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2792AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2792GR	文件：351.61 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2792GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=5A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5A) P-channelRDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2792GR	文件：1.15382 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPC2792TB	文件：225.37 Kbytes Page：4 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL

技术参数

电池化学：
多化学
电池数：
2
接口：
UART
工作温度：
-20°C ~ 70°C（TA）
封装/外壳：
28-TDFN
供应商器件封装：
28-TDFN-EP（8x4）

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深圳市科芯源微电子有限公司	DS2792	MAXIM/美信	25+	QFN	226	原装正品,假一罚十!	询价
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更多DS2792供应商更新时间2025-7-28 20:00:00

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